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| A63.7069 ソフトウェアの主な機能 | ||
| 高圧調整 | 縦ラインスキャン | 潜在的なシフト規制 |
| フィラメント電流調整 | コンデンサー調整 | マルチスケール測定 |
| 乱視調整 | 電気から中央への調整 | 自動明るさ/コントラスト |
| 明るさ調整 | 対物レンズ調整 | オートフォーカス |
| コントラスト調整 | 写真のプレビュー | 自動乱視除去 |
| 倍率調整 | アクティブ定規 | 自動フィラメント調整 |
| 選択範囲スキャンモード | 4 スキャン速度設定 | パラメータの管理 |
| ポイントスキャンモード | 対物レンズ反転 | 画像のスナップショット、画像の凍結 |
| 表面スキャン | コンデンサー反転 | ワンキークイックビュー |
| 横線走査 | 電動回転調整 | |
| SEM | A63.7069 & A63.7069-LV | A63.7080 & A63.7080-L & A63.7080-M | A63.7081 |
| 解像度 | 3nm@30KV(SE) 6nm@30KV(BSE) | 1.5nm@30KV(SE) 3nm@30KV(BSE) | 1.0nm@30KV(SE) 3.0nm@1KV(SE) 2.5nm@30KV(BSE) |
| 倍率 | 8x~300000x 負の真の倍率 | 8x~800000x 負の真の倍率 | 6x~1000000x 負の真の倍率 |
| 電子銃 | 芯出し済みタングステン フィラメント カートリッジ | ショットキー電界放出ガン | ショットキー電界放出ガン |
| 電圧 | 加速電圧 0~30KV、連続調整可能、ステップ調整 100V@0-10Kv、1KV@10-30KV | ||
| クイックビュー | ワンキークイックビュー画像機能 | なし | なし |
| レンズシステム | 3段電磁テーパーレンズ | マルチレベル電磁テーパーレンズ | |
| 絞り | 3つのモリブデン対物開口、真空システムの外側で調整可能、開口を変更するために対物を分解する必要はありません | ||
| 真空システム | 1 ターボ分子ポンプ 1 機械式ポンプ 試料室真空度>2.6E-3Pa 電子銃室 真空度>2.6E-3Pa フルオート真空制御 真空インターロック機能 オプションのモデル: A63.7069-LV 1 ターボ分子ポンプ 2機械式ポンプ 試料室真空度>2.6E-3Pa 電子銃室 真空度>2.6E-3Pa フルオート真空制御 真空インターロック機能 低真空レンジ 10~270Pa BSE(LV)用 90秒でクイック切り替え | 1 イオンポンプセット 1 ターボ分子ポンプ 1 機械式ポンプ 試料室真空度>6E-4Pa 電子銃室 真空度>2E-7 Pa フルオート真空制御 真空インターロック機能 | 1台のスパッタイオンポンプ 1 ゲッター イオン化合物ポンプ 1 ターボ分子ポンプ 1 機械式ポンプ 試料室真空度>6E-4Pa 電子銃室 真空度>2E-7 Pa フルオート真空制御 真空インターロック機能 |
| 検出器 | SE：高真空二次電子検出器（検出器保護付） | SE：高真空二次電子検出器（検出器保護付） | SE：高真空二次電子検出器（検出器保護付） |
| BSE: 半導体 4 セグメンテーション 後方散乱検出器 | オプション | オプション | |
| オプションのモデル: A63.7069-LV BSE(LV): 半導体 4 セグメンテーション 後方散乱検出器 | |||
| ＣＣＤ：赤外線CCDカメラ | ＣＣＤ：赤外線CCDカメラ | ＣＣＤ：赤外線CCDカメラ | |
| ポートの拡張 | 2 サンプルルームのポートを拡張 EDS、BSD、WDSなど | 4 サンプルルームのポートを拡張 BSE、EDS、BSD、WDSなど | 4 サンプルルームのポートを拡張 BSE、EDS、BSD、WDSなど |
| 標本ステージ | 5軸ステージ、4自動+1マニュアルコントロール 移動範囲: X=70mm、Y=50mm、Z=45mm、 R=360°、T=-5°~+90°(マニュアル) タッチアラート＆ストップ機能 | 5軸自動真ん中ステージ 移動範囲: X=80mm、Y=50mm、Z=30mm、 R=360°、T=-5°~+70° タッチアラート＆ストップ機能 オプションのモデル: A63.7080-M5軸マニュアルステージ A63.7080-L5軸自動大きいステージ | 5軸自動大きいステージ 移動範囲: X=150mm、Y=150mm、Z=60mm、 R=360°、T=-5°~+70° タッチアラート＆ストップ機能 |
| 最大標本 | 直径175mm、高さ35mm | 直径175mm、高さ20mm | 直径340mm、高さ50mm |
| 画像システム | 実際の静止画像の最大解像度 4096x4096 ピクセル、 画像ファイル形式: BMP(デフォルト)、GIF、JPG、PNG、TIF | 実際の静止画像の最大解像度 16384x16384 ピクセル、 画像ファイル形式: TIF(デフォルト)、BMP、GIF、JPG、PNG ビデオ: デジタル .AVI ビデオの自動録画 | 実際の静止画像の最大解像度 16384x16384 ピクセル、 画像ファイル形式: TIF(デフォルト)、BMP、GIF、JPG、PNG ビデオ: デジタル .AVI ビデオの自動録画 |
| コンピューターソフトウェア | PC ワークステーション Win 10 システム、SEM 顕微鏡全体の操作を完全に制御するためのプロフェッショナルな画像解析ソフトウェア、Inter I5 3.2GHz 以上のコンピューター仕様、4G メモリ、24 インチ IPS LCD モニター、500G ハードディスク、マウス、キーボード | ||
| 写真表示 | 画像レベルはリッチで細心の注意を払っており、リアルタイムの倍率、定規、電圧、グレーの曲線を示しています | ||
| 寸法 ＆ 重さ | 顕微鏡本体 800x800x1850mm ワーキングテーブル 1340x850x740mm 総重量 400Kg | 顕微鏡本体 800x800x1480mm ワーキングテーブル 1340x850x740mm 総重量 450Kg | 顕微鏡本体 1000x1000x1730mm ワーキングテーブル 1330x850x740mm 総重量 550Kg |
| オプションのアクセサリ | |||
| オプションのアクセサリ | A50.7002EDS エネルギー分散型 X 線分光計 A50.7011イオンスパッタリングコーター | A50.7001BSE後方散乱電子検出器 A50.7002EDS エネルギー分散型 X 線分光計 A50.7011イオンスパッタリングコーター A50.7030コントロールパネルの電動化 | A50.7001BSE後方散乱電子検出器 A50.7002EDS エネルギー分散型 X 線分光計 A50.7011イオンスパッタリングコーター A50.7030コントロールパネルの電動化 |
| A50.7001 | BSE検出器 | 半導体 4 セグメント後方散乱検出器。 成分 A+B、形態情報 AB で利用可能。 金をスパッタリングせずに観察できるサンプル。 グレースケール マップから不純物と分布を直接観察できます。 |
| A50.7002 | EDS（X線検出器） | 軽元素分析用の低エネルギー X 線透過を最適化する窒化ケイ素 (Si3N4) ウィンドウ。 優れた解像度と高度な低ノイズ エレクトロニクスにより、卓越したスループット性能が実現します。 小さなフットプリントは、理想的なジオメトリと Aata 収集条件を確保するための柔軟性を提供します。 検出器には 30mm2 チップが含まれています。 |
| A50.7003 | EBSD (電子ビーム後方散乱回折) | ユーザーは、材料の結晶方位、結晶相、マイクロ テクスチャ、および関連する材料の性能などを分析できます。 EBSD カメラ設定の自動最適化 データ収集中にインタラクティブなリアルタイム分析を行い、最大限の情報を取得します すべてのデータはタイムタグでブランド化され、いつでも表示できます 高解像度 1392 x 1040 x 12 スキャンとインデックス速度: 198 ポイント/秒、Ni を標準として、2 ~ 5nA の条件下で、99% 以上のインデックス率を確保できます。 低ビーム電流、100pAで5kVの低電圧条件下で良好に動作 方位測定精度：0.1度以上 トリプレックス インデックス システムの使用: シングル バンド定義に頼る必要がなく、パターン品質の低いインデックスを簡単に作成できます。 専用データベース: 電子線回折によるEBSD専用データベース: >400 相構造 索引機能: 7 つの結晶系のすべての結晶材料を自動的に索引付けできます。 高度なオプションには、弾性剛性 (Elastic Stiffness)、テイラー (テイラー) 係数、シュミット (シュミット) 係数などの計算が含まれます。 |
| A50.7010 | コーティング機 | ガラス保護シェル: ∮250mm;高さ340mm。 ガラス処理室: ∮88mm;高さ140mm、∮88mm。高さ57mm。 試料ステージサイズ: ∮40mm (最大); 真空システム:分子ポンプおよび機械ポンプ; 真空検出: ピラニゲージ; 真空: 2 X 10-3 Pa よりよい; 真空保護:マイクロスケールのインフレーション バルブとの 20 Pa; 標本の動き: 平面の回転、傾きの歳差運動。 |
| A50.7011 | イオンスパッタリングコーター | ガラス加工室：∮100mm;高さ130mm。 標本ステージのサイズ: ∮40mm (6 つの標本カップを保持); ゴールデン ターゲット サイズ: ∮58mm*0.12mm (厚さ); 真空検出: ピラニゲージ; 真空保護:マイクロスケールのインフレーション バルブとの 20 Pa; 中程度のガス: アルゴンまたはアルゴン ガスの特別な空気入口およびマイクロスケールで調節するガスが付いている空気。 |
| A50.7012 | アルゴンイオンスパッタリングコーター | サンプルは高真空下でカーボンと金でメッキされました。 回転式試料台、均一コーティング、粒子径約3～5nm。 ターゲット材料の選択なし、サンプルへの損傷なし。 イオンクリーニングとイオンシンニングの機能を実現できます。 |
| A50.7013 | 臨界点乾燥機 | 内径: 82mm、内径: 82mm; 圧力範囲:0-2000psi; 温度範囲:0°-50° C (32°-122° F) |
| A50.7014 | 電子線リソグラフィー | 走査型電子顕微鏡に基づいて、新しいナノ露光システムが開発されました。 変更により、ナノスケールの線幅の画像を作成するためのすべての Sem 関数が保持されました。 変更された Ebl システムは、マイクロエレクトロニクス デバイス、オプトエレクトロニクス デバイス、Quantun デバイス、マイクロエレクトロニクス システムの研究開発に広く適用されています。 |
| A63.7069 標準消耗品の衣装 | |||
| 1 | タングステンフィラメント | 事前センタリング、インポート | 1箱(5本入) |
| 2 | サンプルカップ | 直径13mm | 5個 |
| 3 | サンプルカップ | 直径32mm | 5個 |
| 4 | カーボン両面導電テープ | 6mm | 1 パッケージ |
| 5 | 真空グリース | 10個 | |
| 6 | 無毛布 | 1 チューブ | |
| 7 | 研磨ペースト | 1個 | |
| 8 | サンプルボックス | 2袋 | |
| 9 | 綿棒 | 1個 | |
| 10 | オイルミストフィルター | 1個 | |
| A63.7069 スタンダード ツール & パーツ アウトフィット | |||
| 1 | 内六角スパナ | 1.5mm～10mm | 1セット |
| 2 | ピンセット | 長さ 100-120mm | 1個 |
| 3 | マイナスドライバー | 2×50mm、2×125mm | 2個 |
| 4 | 十字ドライバー | 2×125mm | 1個 |
| 5 | ダイヤフラムリムーバー | 1個 | |
| 6 | クリーニングロッド | 1個 | |
| 7 | フィラメント調整ツール | 1個 | |
| 8 | フィラメント調整ガスケット | 3点 | |
| 9 | チューブエクストラクター | 1個 | |
黄昕