A63.7010

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EBL 電子ビーム描画装置

ショットキー電界放出銃加速電圧20V～30KV
n レンズ電子検出器、<1nm@15KV; <1.5nm@1KV、最小ビームスポットサイズ<2nm
書き込みフィールド <500x500um、グラフィックジェメレーター高性能 FPGA
最大スキャン速度 50Mhz、サポートされる書き込みフィールド 10um~500um、最小滞留時間増分 10ns
干渉計ステージサイズ 4 インチ、トラベル <105mm、最小線幅 10nm

電子ビーム描画装置の紹介

中国のEBLリソグラフィーマシンの仕様化

ステージ仕様
標準装備	レーザー干渉計ステージ
ステージ移動	≤105mm
電子銃とイメージングの仕様
ショットキー電界放出銃	加速電圧20V～30kV側二次電子検出器とレンズ内電子検出器
画像解像度	≤1nm@15kV;≤1.5nm@1kV
ビーム電流密度	>5300A/cm2
最小ビームスポットサイズ	≤2nm
リソグラフィー仕様書
電子ビームシャッター	立ち上がり時間< 100ns< 100 ns
ライティングフィールド	≤500×500μm
最小単一露光線幅	10±2nm
スキャン速度	25MHz/50MHz
グラフィックスジェネレーターのパラメータ
コントロールコア	高性能FPGA
最大スキャン速度	50MHz
D/A解像度	20ビット
サポートされている書き込みフィールドのサイズ	10μm～500μm
ビームシャッターサポート	5VTTL
最小滞留時間増分	10ns
サポートされているファイル形式	GDSIl、DXF、BMPなど
ファラデーカップビーム電流測定	付属
近接効果補正	オプション
レーザー干渉計ステージ	オプション
スキャンモード	シーケンシャル (Z タイプ)、サーペンタイン (S タイプ)、スパイラル、その他のベクトルスキャンモード
露出モード	フィールドキャリブレーション、フィールドステッチ、オーバーレイ、マルチレイヤー自動露出をサポート
外部チャネルのサポート	電子ビーム走査、ステージ移動、ビームシャッター制御、二次電子検出をサポート

中国製電子ビーム描画装置の特徴

レーザー干渉計ステージ

レーザー干渉計ステージ：大ストローク、高精度のステッチングおよびオーバーレイの要件を満たす先進的なレーザー干渉計ステージ

電界放出銃

高解像度の電界放出銃はリソグラフィーの品質を保証する重要な要素です

グラフィックジェネレーター

超-高解像度超高速スキャンを実現しながらパターン描画を実現

A63.7010 VS レイス 150 ツー
デバイスモデル	OPTO-EDU A63.7010 (中国)	Raith 150 Two (ドイツ)
加速電圧(kV)	30	30
分。ビームスポット径 (nm)	2	1.6
ステージサイズ(インチ)	4	4
最小線幅 (nm)	10	8
縫製精度 (nm)	50(35nm)	35
重ね合わせ精度 (nm)	50(35nm)	35

Pictures
Model No.	A63.7010
その他の仕様	フルオート高真空時間 <2 分
オプションのアクセサリー	A50.7002 EDS エネルギー分散型 X 線分光計 A50.7011 イオンスパッタリングコータ
システムサポート	Win11 Win10
光を送信	タングステンフィラメントカートリッジ、電圧0~15KV
コンデンサー	コンデンサーを内蔵し、手動で絞りを調整する必要はありません（LaB6 オプション）
作業段階	XY自動ステージ、可動30x30mm、オプション5軸、試料最大Ф50xH35mm
目的	検出器 SE+BSE+CCD
標準倍率	150000x
新製品の年	2021年
	SEM系列2025 市场价格=零售价格 /4.5 市场价格对外展示标標準报价=销售价格 /5.5 市场价格83折、报备後标準报价代理折扣=傍价 /6.4市场价格75折、只给深度合作代理