A63.7010

Suka mengumpulkan

Mesin Litografi Berkas Elektron EBL

Senapan Emisi Lapangan Schottky, Tegangan Akselerasi 20V~30KV
n-Detektor Elektron Lensa, <1nm@15KV; <1,5nm@1KV, Ukuran Titik Sinar Minimum <2nm
Bidang Penulisan <500x500um, Gemerator Grafis FPGA Kinerja Tinggi
Kecepatan Pemindaian Maks 50Mhz, Bidang Penulisan yang Didukung 10um~500um, Peningkatan Waktu Tinggal Minimum 10ns
Tahap Interferometer Ukuran 4 Inci, Perjalanan <105mm, Lebar Garis Minimum 10nm

Pengenalan Mesin Litografi Berkas Elektron

Sepifikasi Mesin Litografi EBL Cina

Spesifikasi Panggung
Perlengkapan Standar	Tahap Interferometer Laser
Perjalanan Panggung	≤105mm
Pistol Elektron dan Spesifikasi Pencitraan
Senjata Emisi Lapangan Schottky	Tegangan Percepatan 2OV~ 30kVDetektor Elektron Sekunder Sisi dan Detektor Elektron Dalam Lensa
Resolusi Gambar	≤1nm@15kV;≤1,5nm@1kV
Kepadatan Arus Balok	>5300 A/cm2
Ukuran Titik Sinar Minimum	≤2nm
Spesifikasi Litografi
Rana Berkas Elektron	Waktu Naik <100 ns< 100 ns
Bidang Penulisan	≤500x500 mm
Lebar Garis Eksposur Tunggal Minimum	10±2nm
Kecepatan Pemindaian	25MHz/ 50MHz
Parameter Generator Grafik
Inti Kontrol	FPGA berkinerja tinggi
Kecepatan Pemindaian maksimum	50MHz
Resolusi D/A	20-bit
Ukuran Bidang Penulisan yang Didukung	10 um~500 um
Pendukung Rana Sinar	5VTTL
Peningkatan Waktu Tinggal Minimum	10ns
Format File yang Didukung	GDSIl, DXF, BMP, dll.
Pengukuran Arus Sinar Piala Faraday	Termasuk
Koreksi Efek Kedekatan	Opsional
Tahap Interferometer Laser	Opsional
Mode Pemindaian	Sequential (tipe Z), Serpentine (tipe S), Spiral, dan mode pemindaian vektor lainnya
Mode Eksposur	Mendukung kalibrasi bidang, penggabungan bidang, overlay, dan eksposur otomatis multi-lapis
Dukungan Saluran Eksternal	mendukung pemindaian berkas elektron, pergerakan panggung, kontrol rana berkas, dan deteksi elektron sekunder

Fitur Mesin Litografi Berkas Elektron Tiongkok

Tahap Interferometer Laser

Tahap Interferometer Laser: Tahap interferometer laser canggih yang memenuhi persyaratan jahitan dan overlay dengan goresan besar dan presisi tinggi

Senjata Emisi Lapangan

Senjata emisi lapangan resolusi tinggi merupakan jaminan penting untuk kualitas litografi

Pembuat Grafik

Mencapai ultra-resolusi tinggimenggambar pola sambil memastikan pemindaian berkecepatan sangat tinggi

A63.7010 VS Raith 150 Dua
Model Perangkat	OPTO-EDU A63.7010 (Tiongkok)	Raith 150 Dua (Jerman)
Tegangan Percepatan (kV)	30	30
Minimal. Diameter Titik Sinar (nm)	2	1.6
Ukuran Panggung (inci)	4	4
Lebar Garis Minimum (nm)	10	8
Akurasi Jahitan (nm)	50(35nm)	35
Akurasi Hamparan (nm)	50(35nm)	35

Pictures
Model No.	A63.7010
Spesifikasi Lainnya	Waktu Vaksin Tinggi Otomatis Penuh <2 Menit
Aksesori Opsional	A50.7002 EDS Spektrometer Sinar-X Dispersif Energi A50.7011 Pelapis Sputtering Ion
Dukungan Sistem	Win11 Menangkan10
Mengirimkan Cahaya	Catridge Filamen Tungsten, Tegangan 0~15KV
Kondensator	Kondensor Bawaan Tidak Perlu Penyesuaian Apertur Manual (LaB6 Opsional)
Tahap Kerja	XY Auto Stage, Bergerak 30x30mm, Opsional 5 Sumbu, Speicmen Max Ф50xH35mm
Objektif	Detektor SE+BSE+CCD
Pembesaran Standar	150000x
Tahun Produk Baru	2021
	SEM系列 2025 市场价格=零售价格 /4.5 市场价格对外展示标准报价=销售价格 /5.5市场价格83折, 报备后标准报价代理折扣=最低限价 /6.4 市场价格75折, 只给深度合作代理

layanan online

Kami di sini online untuk mendukung!

Kirim Pesan

Nama

negara

kotak surat

telepon

Isi pesan

Pengaturan Cookie Tingkat Lanjut

Cookie Penting

Cookies ini mengaktifkan fungsionalitas inti seperti keamanan, verifikasi identitas, dan manajemen jaringan. Cookie ini tidak dapat dinonaktifkan.

Aktifkan Cookie Pemasaran

Cookie ini digunakan untuk melacak kinerja periklanan, menyetujui pengiriman data pengguna terkait periklanan ke Google, dan mengizinkan situs web untuk menayangkan iklan yang dipersonalisasi guna memberikan layanan yang lebih relevan.

Aktifkan Cookie Fungsional

Cookies ini mengumpulkan data untuk mengingat pilihan yang diambil pengguna untuk meningkatkan dan memberikan pengalaman yang lebih personal.

Aktifkan Cookie Analytics

Cookies ini membantu kami memahami bagaimana pengunjung berinteraksi dengan situs web kami, menemukan kesalahan, dan memberikan analisis keseluruhan yang lebih baik.