Nederlands
English
Pусский
Français
Español
Portugues
Deutsch
lingua italiana
العربية
Melayu
Filipino
Монгол хэл
dansk
Bahasa indonesia
日本語
한국어
Türk dili
Tiếng Việt
svenska
Norsk språk
Introductie van een elektronenstraallithografiemachine
Sepcificatie van de Chinese EBL-lithografiemachine
| Podiumspecificaties | |
| Standaarduitrusting | Laserinterferometertrap |
| Podiumreizen | ≤105 mm |
| Elektronenkanon- en beeldspecificaties | |
| Schottky veldemissiekanon | Acceleratiespanning 2OV~ 30kVSide secundaire elektronendetector en Elektronendetector in de lens |
| Beeldresolutie | ≤1 nm bij 15 kV;≤1,5 nm bij 1 kV |
| Straalstroomdichtheid | >5300 A/cm2 |
| Minimale straalvlekgrootte | ≤2 nm |
| Lithografische specificaties | |
| Elektronenbundelsluiter | Stijgtijd< 100 ns< 100 ns |
| Schrijven veld | ≤500x500 uhm |
| Minimale lijnbreedte bij enkele belichting | 10 ± 2 nm |
| Scansnelheid | 25 MHz/ 50 MHz |
| Grafische generatorparameters | |
| Controle kern | Krachtige FPGA |
| Maximale scansnelheid | 50 MHz |
| D/A-resolutie | 20-bits |
| Ondersteunde schrijfveldgroottes | 10 um ~ 500 um |
| Beam Shutter-ondersteuning | 5VTTL |
| Minimale verblijftijdtoename | 10 ns |
| Ondersteunde bestandsformaten | GDSIL, DXF, BMP, enz. |
| Faraday Cup-bundelstroommeting | Inbegrepen |
| Correctie van nabijheidseffect | Optioneel |
| Laserinterferometertrap | Optioneel |
| Scanmodi | Sequentieel (Z-type), Serpentine (S-type), Spiraal en andere vectorscanmodi |
| Belichtingsmodi | Ondersteunt veldkalibratie, veldsteken, overlay en meerlaagse automatische belichting |
| Ondersteuning voor externe kanalen | ondersteunt elektronenstraalscannen, podiumbeweging, straalsluiterregeling en secundaire elektronendetectie |
Kenmerken van de Chinese elektronenbundellithografiemachine
 | Laserinterferometertrap Laserinterferometertafel: Een geavanceerde laserinterferometertafel die voldoet aan de eisen voor grote slag, uiterst nauwkeurig stiksel en overlay |
Veldemissiekanon Een veldemissiekanon met hoge resolutie is een belangrijke garantie voor de kwaliteit van de lithografie |  |
 | Grafische generator Bereikt ultra-hoge resolutiepatroontekenen en tegelijkertijd scannen met ultrahoge snelheid garanderen |
| A63.7010 VS Raith 150 Twee | ||
| Apparaatmodel | OPTO-EDU A63.7010 (China) | Raith 150 Twee (Duitsland) |
| Acceleratiespanning (kV) | 30 | 30 |
| Min. Straalvlekdiameter (nm) | 2 | 1.6 |
| Podiumgrootte (inch) | 4 | 4 |
| Minimale lijnbreedte (nm) | 10 | 8 |
| Stiknauwkeurigheid (nm) | 50(35nm) | 35 |
| Overlaynauwkeurigheid (nm) | 50(35nm) | 35 |
Huang Xin