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Introduzione della macchina per litografia a fascio di elettroni
Semplificazione della macchina litografica cinese EBL
| Specifiche del palco | |
| Attrezzatura standard | Stadio per interferometro laser |
| Viaggio a tappe | ≤105 mm |
| Specifiche della pistola elettronica e dell'imaging | |
| Pistola ad emissione di campo Schottky | Tensione di accelerazione 2OV~ 30kVRilevatore di elettroni secondari laterali e Rilevatore di elettroni integrato nell'obiettivo |
| Risoluzione dell'immagine | ≤1nm@15kV;≤1,5 nm@1 kV |
| Densità di corrente del fascio | >5300 A/cm2 |
| Dimensione minima del punto del fascio | ≤2 miglia nautiche |
| Specifiche della litografia | |
| Otturatore del fascio di elettroni | Tempo di salita < 100 ns< 100 ns |
| Campo di scrittura | ≤500x500 u.m |
| Larghezza minima della linea di esposizione singola | 10±2nm |
| Velocità di scansione | 25 MHz/50 MHz |
| Parametri del generatore grafico | |
| Nucleo di controllo | FPGA ad alte prestazioni |
| Velocità di scansione massima | 50 MHz |
| Risoluzione D/A | 20 bit |
| Dimensioni del campo di scrittura supportate | 10 um~500 um |
| Supporto otturatore fascio | 5VTTL |
| Incremento minimo del tempo di permanenza | 10ns |
| Formati di file supportati | GDSIl, DXF, BMP, ecc. |
| Misurazione della corrente del fascio a tazza di Faraday | Incluso |
| Correzione dell'effetto di prossimità | Opzionale |
| Stadio per interferometro laser | Opzionale |
| Modalità di scansione | Modalità di scansione sequenziale (tipo Z), serpentina (tipo S), spirale e altre modalità di scansione vettoriale |
| Modalità di esposizione | Supporta la calibrazione sul campo, la cucitura sul campo, la sovrapposizione e l'esposizione automatica multistrato |
| Supporto per canali esterni | supporta la scansione del fascio di elettroni, il movimento del tavolino, il controllo dell'otturatore del fascio e il rilevamento degli elettroni secondari |
Caratteristiche della macchina litografia a fascio di elettroni cinese
 | Stadio per interferometro laser Stadio interferometro laser: uno stadio interferometro laser avanzato che soddisfa i requisiti di cucitura e sovrapposizione ad alta precisione e a corsa ampia |
Pistola ad emissione di campo Una pistola a emissione di campo ad alta risoluzione è un'importante garanzia per la qualità della litografia |  |
 | Generatore grafico Raggiunge ultra-alta risoluzionedisegno del modello garantendo allo stesso tempo una scansione ad altissima velocità |
| A63.7010 VS Raith 150 Due | ||
| Modello del dispositivo | OPTO-EDU A63.7010 (Cina) | Raith 150 Due (Germania) |
| Tensione di accelerazione (kV) | 30 | 30 |
| minimo Diametro del punto del fascio (nm) | 2 | 1.6 |
| Dimensioni del palco (pollici) | 4 | 4 |
| Larghezza di linea minima (nm) | 10 | 8 |
| Precisione di cucitura (nm) | 50(35nm) | 35 |
| Precisione della sovrapposizione (nm) | 50(35nm) | 35 |
Huang Xin