A63.7010

Liker å samle

EBL Elektronstrålelitografimaskin

Schottky feltutslippspistol, akselerasjonsspenning 20V~30KV
n-linse elektrondetektor, <1nm@15KV; <1,5nm@1KV, Minimum strålepunktstørrelse <2nm
Skrivefelt <500x500um, Graphic Gemerator High Performance FPGA
Maks skannehastighet 50Mhz, støttet skrivefelt 10um~500um, minimum oppholdstid 10ns
Interferometer trinnstørrelse 4 tommer, vandring <105 mm, minimum linjebredde 10 nm

Introduksjon av Electron Beam Lithography Machine

Sepcification of Chinese EBL Lithography Machine

Stagespesifikasjoner
Standard utstyr	Laser Interferometer Stage
Scenereiser	≤105 mm
Spesifikasjoner for elektronpistol og bildebehandling
Schottky feltutslippspistol	Akselerasjonsspenning 2OV~ 30kVSide Sekundærelektrondetektor og Elektrondetektor i objektivet
Bildeoppløsning	≤1 nm @ 15 kV;≤1,5 nm @ 1 kV
Beam Current Densit	>5300 A/cm2
Minimum strålepunktstørrelse	≤2 nm
Litografiske spesifikasjoner
Elektronstrålelukker	Stigetid< 100 ns< 100 ns
Skrivefelt	≤500x500 um
Minimum linjebredde for enkelteksponering	10±2nm
Skannehastighet	25 MHz/ 50 MHz
Parametere for grafikkgenerator
Kontrollkjerne	Høyytelses FPGA
Maksimal skannehastighet	50 MHz
D/A-oppløsning	20-bit
Støttede skrivefeltstørrelser	10 um ~ 500 um
Bjelkelukkerstøtte	5VTTL
Minimum oppholdstidsøkning	10 ns
Støttede filformater	GDSIl, DXF, BMP, etc.
Faraday Cup Beam Strømmåling	Inkludert
Proximity Effect Correction	Valgfri
Laser Interferometer Stage	Valgfri
Skannemoduser	Sekvensiell (Z-type), Serpentine (S-type), Spiral og andre vektorskanningsmoduser
Eksponeringsmoduser	Støtter feltkalibrering, feltsøm, overlegg og automatisk flerlags eksponering
Støtte for ekstern kanal	støtter elektronstråleskanning, scenebevegelse, strålelukkerkontroll og sekundær elektrondeteksjon

Funksjoner av kinesisk elektronstrålelitografimaskin

Laser Interferometer Stage

Laser Interferometer Stage: Et avansert laserinterferometertrinn som oppfyller kravene til søm og overlegg med stor slag, høy presisjon

Feltutslippspistol

En høyoppløselig feltemisjonspistol er en viktig garanti for litografikvalitet

Grafikkgenerator

Oppnår ultra-høy oppløsningmønstertegning samtidig som du sikrer ultra-høyhastighets skanning

A63.7010 VS Raith 150 Two
Enhetsmodell	OPTO-EDU A63.7010 (Kina)	Raith 150 Two (Tyskland)
Akselerasjonsspenning (kV)	30	30
Min. Strålepunktdiameter (nm)	2	1.6
Scenestørrelse (tommer)	4	4
Minimum linjebredde (nm)	10	8
Sømnøyaktighet (nm)	50 (35nm)	35
Overleggsnøyaktighet (nm)	50 (35nm)	35

Pictures
Model No.	A63.7010
Annen spesifikasjon	Fullautomatisk høyvakueringstid <2 minutter
Valgfritt tilbehør	A50.7002 EDS energidispergerende røntgenspektrometer A50.7011 Ione Sputtering Coater
Systemstøtte	Win11 Win10
Sende lys	Tungsten Filament Catridge, Spenning 0~15KV
Kondensator	Innebygd kondensator trenger ikke manuell justering av blenderåpning (LaB6 valgfritt)
Arbeidsfase	XY Auto Stage, Moving 30x30mm, valgfri 5 akser, Speicmen Max Ф50xH35mm
Objektiv	Detektor SE+BSE+CCD
Standard forstørrelse	150 000x
Nytt produktår	2021
	SEM 系列 2025 市场价格=零售价格 /4,5 市场价格对外展示标准报价=销售价格 /5,5 格市场价格83折, 报备后标准报价代理折扣=最低限价 /6,4 市场价格75折,刐庻眐

online tjeneste

Vi er her online for å støtte!

Send melding

Navn

land

postkasse

telefon

Meldingsinnhold

Avanserte informasjonskapselinnstillinger

Viktige informasjonskapsler

Disse informasjonskapslene muliggjør kjernefunksjonalitet som sikkerhet, verifisering av identitet og nettverksadministrasjon. Disse informasjonskapslene kan ikke deaktiveres.

Aktiver markedsføringsinformasjonskapsler

Disse informasjonskapslene brukes til å spore annonseytelse, samtykke til sending av annonseringsrelaterte brukerdata til Google, og samtykke til at nettstedet viser personlig tilpasset annonsering for å tilby mer relevante tjenester.

Aktiver funksjonelle informasjonskapsler

Disse informasjonskapslene samler inn data for å huske valg brukere gjør for å forbedre og gi en mer personlig opplevelse.

Aktiver Analytics-informasjonskapsler

Disse informasjonskapslene hjelper oss å forstå hvordan besøkende samhandler med nettstedet vårt, oppdager feil og gir en bedre samlet analyse.