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Máquina de litografia por feixe de elétrons EBL
Máquina de litografia por feixe de elétrons EBL
Máquina de litografia por feixe de elétrons EBL

Máquina de litografia por feixe de elétrons EBL

  • Pistola de emissão de campo Schottky, tensão de aceleração 20V ~ 30KV
  • Detector de elétrons de lente n, <1nm@15KV; <1,5nm@1KV, tamanho mínimo do ponto do feixe <2nm
  • Campo de escrita <500x500um, FPGA de alto desempenho do Gemerador gráfico
  • Velocidade máxima de varredura 50Mhz, campo de gravação compatível 10um ~ 500um, incremento mínimo de tempo de permanência 10ns
  • Tamanho do estágio do interferômetro 4 polegadas, deslocamento <105 mm, largura de linha mínima 10 nm
Quantidade:

Introdução da máquina de litografia por feixe de elétrons

ebl machine

Sepcificação da máquina chinesa de litografia EBL

 
electron beam lithography machine price
Especificações do palco
Equipamento PadrãoEstágio de interferômetro a laser
Viagem de palco105 milímetros
Arma de elétrons e especificações de imagem
Pistola de emissão de campo SchottkyTensão de aceleração 2OV~ 30kVSide ElectronDetector secundário e
Detector de elétrons na lente
Resolução de imagem1nm@15kV;1,5nm@1kV
Densidade atual do feixe>5300 A/cm2
Tamanho mínimo do ponto do feixe2nm
Especificações de litografia
Obturador de feixe de elétronsTempo de subida <100 ns< 100 ns
Campo de Escrita500x500 hum
Largura mínima da linha de exposição única10 ± 2 nm
Velocidade de digitalização25 MHz/50 MHz
Parâmetros do Gerador Gráfico
Núcleo de ControleFPGA de alto desempenho
Velocidade máxima de digitalização50MHz
Resolução D/A20 bits
Tamanhos de campos de escrita suportados10um~500um
Suporte para obturador de feixe5VTTL
Incremento mínimo do tempo de permanência10s
Formatos de arquivo suportadosGDSIl, DXF, BMP, etc.
Medição de corrente do feixe Faraday CupIncluído
Correção de efeito de proximidadeOpcional
Estágio de interferômetro a laserOpcional
Modos de digitalizaçãoSequencial (tipo Z), Serpentina (tipo S), Espiral e outros modos de varredura vetorial
Modos de exposiçãoSuporta calibração de campo, costura de campo, sobreposição e exposição automática multicamadas
Suporte de canal externosuporta varredura por feixe de elétrons, movimento de palco, controle de obturador de feixe e detecção de elétrons secundários

Características da máquina chinesa de litografia por feixe de elétrons

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Estágio de interferômetro a laser

Estágio de interferômetro a laser: Um estágio de interferômetro a laser avançado que atende aos requisitos de costura e sobreposição de grande curso e alta precisão

Arma de emissão de campo

Uma pistola de emissão de campo de alta resolução é uma garantia importante para a qualidade da litografia

electron beam lithography machine
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Gerador Gráfico

Alcança ultra-alta resoluçãodesenho de padrões, garantindo digitalização em altíssima velocidade

A63.7010 VS Raith 150 Dois
Modelo do dispositivoOPTO-EDU A63.7010 (China)Raith 150 Dois (Alemanha)
Tensão de aceleração (kV)3030
Min. Diâmetro do ponto do feixe (nm)21.6
Tamanho do palco (polegadas)44
Largura de linha mínima (nm)108
Precisão de costura (nm)50(35nm)35
Precisão de sobreposição (nm)50(35nm)35
electron beam lithography machine
 
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Pictures
Model No. A63.7010
Outra Especificação
Tempo de alto vácuo totalmente automático <2 minutos
Acessório opcional
Espectrômetro dispersivo de raios X de energia A50.7002 EDS A50.7011 Ion Sputtering Coater
Suporte do sistema
Win11
Win10
Transmitir Luz
Catridge de filamento de tungstênio, tensão 0 ~ 15KV
Condensador
Condensador integrado sem necessidade de ajuste manual de abertura (LaB6 opcional)
Fase de trabalho
Estágio automático XY, móvel 30x30mm, 5 eixos opcionais, Speicmen Max Ф50xH35mm
Objetivo
Detector SE+BSE+CCD
Ampliação Padrão
150.000x
Novo Produto Ano
2021
SEM系列 2025 市场价格=零售价格 /4.5 市场价格 对外展示 标准报价=销售价格 /5.5 市场价格83折,报备后标准报价 代理折扣=最低限价 /6.4 市场价格75折, 只给深度合作代理

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