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EBL 전자빔 리소그래피 기계
- 쇼트키 전계방출총, 가속전압 20V~30KV
- n-렌즈 전자 검출기, <1nm@15KV; <1.5nm@1KV, 최소 빔 스폿 크기 <2nm
- 쓰기 필드 <500x500um, Graphic Gemerator 고성능 FPGA
- 최대 스캔 속도 50Mhz, 지원 쓰기 필드 10um~500um, 최소 체류 시간 증분 10ns
- 간섭계 스테이지 크기 4인치, 이동 거리 <105mm, 최소 선폭 10nm
전자빔 리소그래피 기계 도입
중국 EBL 노광기의 규격화
| 스테이지 사양 |
| 표준 장비 | 레이저 간섭계 스테이지 |
| 무대 여행 | ≤105mm |
| 전자총 및 이미징 사양 |
| 쇼트키 전계방출총 | 가속전압 20V~ 30kVSide 2차 전자검출기 및 렌즈 내 전자 검출기 |
| 이미지 해상도 | ≤1nm@15kV;≤1.5nm@1kV |
| 빔 전류 밀도 | >5300A/cm2 |
| 최소 빔 스폿 크기 | ≤2nm |
| 리소그래피 사양 |
| 전자빔 셔터 | 상승 시간 < 100ns< 100 ns |
| 글쓰기 분야 | ≤500x500 음 |
| 최소 단일 노출 라인 폭 | 10±2nm |
| 스캔 속도 | 25MHz/50MHz |
| 그래픽 생성기 매개변수 |
| 제어 코어 | 고성능 FPGA |
| 최대 스캔 속도 | 50MHz |
| D/A 분해능 | 20비트 |
| 지원되는 쓰기 필드 크기 | 10음~500음 |
| 빔 셔터 지원 | 5VTTL |
| 최소 체류 시간 증가 | 10ns |
| 지원되는 파일 형식 | GDSIl, DXF, BMP 등 |
| 패러데이 컵 빔 전류 측정 | 포함됨 |
| 근접 효과 보정 | 선택 과목 |
| 레이저 간섭계 스테이지 | 선택 과목 |
| 스캔 모드 | 순차(Z 유형), 사문석(S 유형), 나선형 및 기타 벡터 스캔 모드 |
| 노출 모드 | 필드 교정, 필드 스티칭, 오버레이 및 다층 자동 노출 지원 |
| 외부 채널 지원 | 전자빔 스캐닝, 스테이지 이동, 빔 셔터 제어 및 2차 전자 검출 지원 |
중국 전자빔 리소그래피 기계의 특징
| 레이저 간섭계 스테이지 레이저 간섭계 스테이지: 대형 스트로크, 고정밀 스티칭 및 오버레이 요구 사항을 충족하는 고급 레이저 간섭계 스테이지 |
전계 방출 총 고해상도 전계 방출 건은 리소그래피 품질을 보장하는 중요한 요소입니다. | |
| 그래픽 생성기 울트라 달성고해상도초고속 스캐닝을 보장하면서 패턴 드로잉 |
| A63.7010 VS Raith 150 2 |
| 장치 모델 | OPTO-EDU A63.7010(중국) | Raith 150 Two (독일) |
| 가속전압(kV) | 30 | 30 |
| 최소 빔 스폿 직경(nm) | 2 | 1.6 |
| 스테이지 크기(인치) | 4 | 4 |
| 최소 선폭(nm) | 10 | 8 |
| 스티칭 정확도(nm) | 50(35nm) | 35 |
| 오버레이 정확도(nm) | 50(35nm) | 35 |
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