Einführung der Elektronenstrahl-Lithographiemaschine

Spezifikation der chinesischen EBL-Lithographiemaschine

| Bühnenspezifikationen | |
| Standardausrüstung | Laser-Interferometer-Stufe |
| Etappenreisen | ≤105 mm |
| Spezifikationen für Elektronenkanonen und Bildgebung | |
| Schottky-Feldemissionskanone | Beschleunigungsspannung 2OV~ 30kVSeitensekundärelektronendetektor und In-Lens-Elektronendetektor |
| Bildauflösung | ≤1 nm bei 15 kV;≤1,5 nm bei 1 kV |
| Strahlstromdichte | >5300 A/cm2 |
| Minimale Strahlfleckgröße | ≤2 nm |
| Lithographie-Spezifikationen | |
| Elektronenstrahlverschluss | Anstiegszeit< 100 ns< 100 ns |
| Schreibfeld | ≤500x500 um |
| Mindestlinienbreite für Einzelbelichtung | 10 ± 2 nm |
| Scangeschwindigkeit | 25 MHz/ 50 MHz |
| Parameter des Grafikgenerators | |
| Kontrollkern | Hochleistungs-FPGA |
| Maximale Scangeschwindigkeit | 50 MHz |
| D/A-Auflösung | 20-Bit |
| Unterstützte Schreibfeldgrößen | 10 um ~ 500 um |
| Beam-Shutter-Unterstützung | 5VTTL |
| Minimale Verweilzeiterhöhung | 10ns |
| Unterstützte Dateiformate | GDSIl, DXF, BMP usw. |
| Messung des Faraday-Cup-Strahlstroms | Im Lieferumfang enthalten |
| Korrektur des Näherungseffekts | Optional |
| Laser-Interferometer-Stufe | Optional |
| Scanmodi | Sequentielle (Z-Typ), Serpentinen- (S-Typ), Spirale und andere Vektor-Scanmodi |
| Belichtungsmodi | Unterstützt Feldkalibrierung, Feldzusammenfügung, Überlagerung und mehrschichtige automatische Belichtung |
| Unterstützung externer Kanäle | Unterstützt Elektronenstrahlscannen, Tischbewegung, Strahlverschlusssteuerung und Sekundärelektronenerkennung |
Merkmale der chinesischen Elektronenstrahl-Lithographiemaschine

![]() | Laser-Interferometer-Stufe Laser-Interferometer-Tisch: Ein fortschrittlicher Laser-Interferometer-Tisch, der die Anforderungen für großflächiges, hochpräzises Stitching und Overlay erfüllt |
Feldemissionspistole Eine hochauflösende Feldemissionskanone ist ein wichtiger Garant für die Qualität der Lithographie | ![]() |
![]() | Grafikgenerator Erreicht ultra-hohe AuflösungMusterzeichnung bei gleichzeitiger Gewährleistung einer ultraschnellen Scangeschwindigkeit |
| A63.7010 VS Raith 150 Zwei | ||
| Gerätemodell | OPTO-EDU A63.7010 (China) | Raith 150 Two (Deutschland) |
| Beschleunigungsspannung (kV) | 30 | 30 |
| Min. Strahlfleckdurchmesser (nm) | 2 | 1.6 |
| Bühnengröße (Zoll) | 4 | 4 |
| Mindestlinienbreite (nm) | 10 | 8 |
| Nähgenauigkeit (nm) | 50 (35 nm) | 35 |
| Overlay-Genauigkeit (nm) | 50 (35 nm) | 35 |




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