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Introduction de la machine de lithographie par faisceau d’électrons
Spécification de la machine de lithographie EBL chinoise
| Spécifications de la scène | |
| Équipement standard | Étape d'interféromètre laser |
| Voyage sur scène | ≤105 millimètres |
| Spécifications du pistolet à électrons et de l'imagerie | |
| Pistolet à émission de champ Schottky | Tension d'accélération 2OV ~ 30kVDétecteur d'électrons secondaire côté et Détecteur d'électrons intégré à l'objectif |
| Résolution de l'image | ≤1 nm à 15 kV ;≤1,5 nm à 1 kV |
| Densité de courant du faisceau | >5300A/cm2 |
| Taille minimale du spot du faisceau | ≤2 milles marins |
| Spécifications de lithographie | |
| Obturateur à faisceau électronique | Temps de montée < 100 ns< 100 ns |
| Champ d'écriture | ≤500x500 um |
| Largeur minimale de ligne à exposition unique | 10 ± 2 nm |
| Vitesse de numérisation | 25 MHz/50 MHz |
| Paramètres du générateur graphique | |
| Noyau de contrôle | FPGA hautes performances |
| Vitesse de numérisation maximale | 50 MHz |
| Résolution D/A | 20 bits |
| Tailles des champs d'écriture prises en charge | 10 um~500 um |
| Support d'obturateur de faisceau | 5VTTL |
| Incrément minimum du temps de séjour | 10ns |
| Formats de fichiers pris en charge | GDSIl, DXF, BMP, etc. |
| Mesure du courant de faisceau de la coupe Faraday | Compris |
| Correction de l'effet de proximité | Facultatif |
| Étape d'interféromètre laser | Facultatif |
| Modes de numérisation | Modes de balayage séquentiel (type Z), serpentin (type S), spirale et autres modes de balayage vectoriel |
| Modes d'exposition | Prend en charge l'étalonnage sur le terrain, l'assemblage sur le terrain, la superposition et l'exposition automatique multicouche |
| Prise en charge des canaux externes | prend en charge le balayage par faisceau d'électrons, le mouvement de la scène, le contrôle de l'obturateur de faisceau et la détection d'électrons secondaires |
Caractéristiques de la machine chinoise de lithographie par faisceau d'électrons
 | Étape d'interféromètre laser Étage interférométrique laser : Un étage interférométrique laser avancé qui répond aux exigences en matière de couture et de superposition à grande course et de haute précision. |
Pistolet à émission de champ Un canon à émission de champ haute résolution est une garantie importante pour la qualité de la lithographie |  |
 | Générateur de graphiques Atteint ultra-haute résolutiondessin de motifs tout en garantissant une numérisation ultra-rapide |
| A63.7010 VS Raith 150 Deux | ||
| Modèle d'appareil | OPTO-EDU A63.7010 (Chine) | Raith 150 Deux (Allemagne) |
| Tension d'accélération (kV) | 30 | 30 |
| Min. Diamètre du spot du faisceau (nm) | 2 | 1.6 |
| Taille de la scène (pouces) | 4 | 4 |
| Largeur de ligne minimale (nm) | 10 | 8 |
| Précision de couture (nm) | 50(35nm) | 35 |
| Précision de superposition (nm) | 50(35nm) | 35 |
Huang Xin