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Introducción de la máquina de litografía por haz de electrones
Sepcificación de la máquina de litografía EBL china
| Especificaciones del escenario | |
| Equipo estándar | Etapa de interferómetro láser |
| Viaje por etapas | ≤105mm |
| Pistola de electrones y especificaciones de imágenes | |
| Pistola de emisión de campo Schottky | Voltaje de aceleración 2OV~ 30kVDetector de electrones secundario lateral y Detector de electrones en lente |
| Resolución de imagen | ≤1 nanómetro a 15 kV;≤1,5 nm a 1 kV |
| Densidad de corriente del haz | >5300 A/cm2 |
| Tamaño mínimo del punto del haz | ≤2 millas náuticas |
| Especificaciones de litografía | |
| Obturador de haz de electrones | Tiempo de subida < 100 ns< 100 ns |
| Campo de escritura | ≤500x500 mm |
| Ancho mínimo de línea de exposición única | 10±2nm |
| Velocidad de escaneo | 25MHz/ 50MHz |
| Parámetros del generador de gráficos | |
| Núcleo de control | FPGA de alto rendimiento |
| Velocidad máxima de escaneo | 50 megaciclos |
| Resolución D/A | 20 bits |
| Tamaños de campo de escritura admitidos | 10 micras ~ 500 micras |
| Soporte de obturador de haz | 5VTTL |
| Incremento mínimo del tiempo de permanencia | 10ns |
| Formatos de archivo admitidos | GDSIL, DXF, BMP, etc. |
| Medición de corriente del haz de copa de Faraday | Incluido |
| Corrección del efecto de proximidad | Opcional |
| Etapa de interferómetro láser | Opcional |
| Modos de escaneo | Secuencial (tipo Z), Serpentina (tipo S), Espiral y otros modos de escaneo vectorial |
| Modos de exposición | Admite calibración de campo, unión de campo, superposición y exposición automática multicapa |
| Soporte de canal externo | admite escaneo de haz de electrones, movimiento de escenario, control de obturador de haz y detección de electrones secundarios |
Características de la máquina china de litografía por haz de electrones
 | Etapa de interferómetro láser Etapa de interferómetro láser: una etapa de interferómetro láser avanzada que cumple con los requisitos de costura y superposición de gran recorrido y alta precisión. |
Arma de emisión de campo Un cañón de emisión de campo de alta resolución es una garantía importante para la calidad de la litografía |  |
 | Generador de gráficos Logra ultra-resolución altadibujo de patrones al tiempo que garantiza un escaneo de velocidad ultraalta |
| A63.7010 VS Raith 150 Dos | ||
| Modelo de dispositivo | OPTO-EDU A63.7010 (China) | Raith 150 Dos (Alemania) |
| Voltaje de aceleración (kV) | 30 | 30 |
| Mín. Diámetro del punto del haz (nm) | 2 | 1.6 |
| Tamaño del escenario (pulgadas) | 4 | 4 |
| Ancho de línea mínimo (nm) | 10 | 8 |
| Precisión de costura (nm) | 50(35nm) | 35 |
| Precisión de superposición (nm) | 50(35nm) | 35 |
Huang Xin