



| Article | A50.7041 | A50.7042 | A50.7042-P | A50.7042-T |
| Cible de pulvérisation | Cible de magnétron planaire, avec bouclier de zone sombre environnant | Cible de magnétron planaire, avec bouclier de zone sombre environnant | Cible de magnétron planaire, avec bouclier de zone sombre environnant | Cible de magnétron planaire, avec bouclier de zone sombre environnant |
| Principe de fonctionnement | Pulvérisation CC | Pulvérisation magnétron DC | Pulvérisation magnétron DC | Pulvérisation magnétron CC (pulvérisation magnétron RF en option) |
| Dimensions | 424(L)×271(ré)×255(H)millimètre | 424(L)×271(ré)×255(H)millimètre | 420(L)×330(ré)×335(H)millimètre | 424(L)×345(ré)×420(H)millimètre |
| Cibles disponibles | Au、etc. | Au、Pt、AG、Cu、etc. | Au、Pt、AG、Cu etc. | Tout métal、ITO、AZO、Si、Te etc. |
| Cible standard | Au | Pt | Pt | Pt、Cr、O |
| Taille cible | φ57 × 0,12 mm | Pt:φ57 × 0,12 mm | φ57 × 0,12 mm | Pt:φ57 × 0,12 mm,Les autres:φ57×1mm |
| Courant de pulvérisation | 2-30mA réglable en continu | 5-45 mA réglable en continu, pas de 1mA | 0-100mA réglable en continu | 0-200mA réglable en continu, pas de 5mA |
| Temps de pulvérisation | 1-999s réglable en continu, pas de 2s | 1-999s réglable en continu, pas de 1s | 1-999s réglable en continu, pas de 0s | 1-999s réglable en continu, pas de 1s |
| Chambre à vide | Verre à haute teneur en borosilicate φ130×130mm | Verre à haute teneur en borosilicate φ130×130mm | Verre à haute teneur en borosilicate φ200 × 130 mm | Verre à haute teneur en borosilicate φ200 × 130 mm |
| Pompe à vide | Pompe à palettes rotatives, pompe à spirale sèche en option | Pompe à palettes rotatives, pompe à spirale sèche en option | Pompe à palettes rotatives, pompe à spirale sèche en option | Pompe moléculaire (intégrée) + pompe à palettes (externe) |
| Vitesse de pompage | 1 | ≥1L/s | 1.1L/s | 90L/s (pompe moléculaire)+1L/s (pompe à palettes rotatives) |
| Vide ultime | ≤1 Pa | ≤1 Pa | ≤1 Pa | ≤5×10-3Pa (dans les 8 minutes) |
| vide de travail | 2-30 Pa | 2-30Pa (lié à la cible) | 4-20Pa | 0.4-2Pa (lié à la cible) |
| affichage | Écran tactile couleur 5 pouces, résolution 800×480 | Écran tactile couleur 5 pouces, résolution 800×480 | Ecran tactile couleur 7 pouces, résolution 800×480 | Ecran tactile couleur 7 pouces, résolution 800×480 |
| puissance nominale | 500W | 450W | 500W | 800W |
| Alimentation en tension d'entrée | De série 220 V/50 Hz En option 110 V/60 Hz | De série 220 V/50 Hz En option 110 V/60 Hz | De série 220 V/50 Hz En option 110 V/60 Hz | De série 220 V/50 Hz En option 110 V/60 Hz |
| Milieu de travail | Air ou Argon | Air ou Argon | Air ou Argon | Argon de haute pureté (pureté d'argon 4N et plus) |
| Étape d'échantillonnage | Platine d'échantillonnage en acier inoxydable φ64mm | Platine d'échantillonnage en acier inoxydable φ64mm | Platine d'échantillonnage en acier inoxydable φ125mm | Platine d'échantillonnage en acier inoxydable φ125mm |
| Vitesse de l'étape d'échantillonnage | Optionnel | Optionnel | 4-20 tr/min réglable | 4-20 tr/min réglable |
| Platine d'échantillonnage inclinable et rotative | Non | Optionnel | Optionnel | Optionnel |
| Surveillance de l'épaisseur du film | Non | Optionnel | Optionnel | Optionnel |

| Coucheuse par pulvérisation ionique | |||||
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| ![]() | Principe de fonctionnement : pulvérisation c.c. | |||
| Cibles disponibles : Au, Pt, etc. | |||||
| Chambre à vide : verre borosilicaté φ130 × 130 mm | |||||
| Vide ultime : ≤1Pa | |||||
| Étape d'échantillon : étape d'échantillon d'acier inoxydable de φ64mm | |||||
| A50.7042 | Principe de fonctionnement : pulvérisation magnétron CC | ||||
| Cibles disponibles : Au, Pt, Ag, Cu, Sb, etc. | |||||
| Cible standard : Pt, φ57 × 0,12 mm (peut être remplacée par une cible en or gratuitement) | |||||
| En option : moniteur d'épaisseur de film, platine d'échantillonnage inclinable et rotative | |||||
| A50.7042-P | Principe de fonctionnement : pulvérisation magnétron CC | ||||
| Cibles disponibles : Au, Pt, Ag, Cu etc. | |||||
| Cible standard : Pt, φ57 × 0,12 mm (peut être remplacée par une cible en or gratuitement) | |||||
| En option : moniteur d'épaisseur de film, platine d'échantillonnage inclinable et rotative | |||||
| A50.7042-T | Principe de fonctionnement : pulvérisation magnétron CC (pulvérisation magnétron RF en option) | ||||
| Cibles disponibles : Tous métaux, ITO, AZO, Si, Te, etc. | |||||
| Matériau cible standard : Pt, Cr, W, un métal précieux, deux métaux non précieux | |||||
| En option : moniteur d'épaisseur de film, platine d'échantillonnage inclinable et rotative | |||||
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| A50.7043 | Mode de fonctionnement : évaporation thermique | ||||
| Mode d'évaporation : Modes continu et pulsé | |||||
| Fibre de carbone : fibre de carbone 10 pièces, diamètre 0,8 mm, longueur 1 m. | |||||
| En option : moniteur d'épaisseur de film, platine d'échantillonnage inclinable et rotative | |||||
| A50.7043-T | Mode de fonctionnement : évaporation thermique | ||||
| Mode d'évaporation : Modes continu et pulsé | |||||
| Fibre de carbone : fibre de carbone 10 pièces, diamètre 0,8 mm, longueur 1 m. | |||||
| En option : moniteur d'épaisseur de film, platine d'échantillonnage inclinable et rotative | |||||
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| A50.7045 | ![]() | Mode de fonctionnement: revêtement de pulvérisation + revêtement de carbone par évaporation thermique | |||
| Cible standard : Pt ou Au 1 pc, φ57×0.12mm | |||||
| En option : moniteur d'épaisseur de film, platine d'échantillonnage inclinable et rotative | |||||
| A50.7045-T | Mode de fonctionnement: revêtement de pulvérisation + revêtement de carbone par évaporation thermique | ||||
| Cible standard : Pt, Cr, W, chacun 1 pc ; Pt:φ57×0.12mm; Cr, W:φ57×1mm | |||||
| En option : moniteur d'épaisseur de film, platine d'échantillonnage inclinable et rotative | |||||
| Exigence | Recommander le modèle |
| Film métallique et film de carbone | A50.7045 (faible vide, adapté à un grossissement inférieur à 100 000x |
| A50.7045-T (vide poussé, adapté à un grossissement supérieur à 100 000x) | |
| Revêtement de carbone (échantillon de minerais, préparation d'échantillons de sonde électronique, etc. pour l'analyse de composants, EDS, EBSD ETC) | A50.7043 |
| A50.7043-T | |
| Métal pulvérisé | A50.7041 (grossissement réel inférieur à 50000x, SEM à filament de tungstène, SEM de table) |
| (Au, Pt, Cr, W, etc.) | A50.7042 (grossissement réel inférieur à 100 000x, pistolet à émission de champ SEM) |
| A50.7042-T (grossissement réel supérieur à 100 000x, pistolet à émission de champ SEM) | |
| Électrode, fabrication de dispositifs microélectroniques | A50.7041 (revêtement Au, Pt) |
| A50.7042 (Au, Pt, Ag, Cu, Zn, Im, Sn, etc.) | |
| A50.7042-T (la plupart des revêtements métalliques, ITO, oxyde AZO, etc.) | |
| Boite à gants | A50.7042 version personnalisée |
| Version personnalisée A50.7042-T | |
| Revêtement cylindrique | A50.7042 version personnalisée |


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Huang Xin